冯文然，男，1978年生，理学博士，教授，硕士生导师。2001年毕业于河北工业大学材料科学与工程专业，获学士学位；2004年毕业于河北工业大学材料学专业，获硕士学位；2007年毕业于中国科学院物理研究所等离子体物理专业，获理学博士学位。同年，加入北京石油化工学院。

现任北京石油化工学院新材料与化工学院材料工程系副主任，材料科学与工程专业责任教授，材料科学与工程领域学术学位、材料与化工领域专业学位硕士生导师。

从事相变储能材料开发、超硬、耐蚀薄膜与涂层材料制备、光电薄膜材料及半导体量子点高性能化、器件化等应用基础研究工作。主持完成北京市自然科学基金面上项目1项，北京市组织部优秀人才项目1项、北京市教委科技计划项目1项，主持企业横向项目3项。以第一作者/通讯作者发表SCI论文50余篇，被引用1400余次（Google Scholar），授权发明专利4件。发表国际会议论文5篇，受邀在第四届中日等离子体论坛上做邀请报告1次。作为主要完成人获行业协会科研三等奖1项。参编专著1部、教材1部。

I. 主要研究工作

1. 高性能相变储能材料

2. 低维光电探测材料制备与性能调控

3. 超硬/耐磨薄膜与涂层材料制备及应用

II. 承担科研项目

1. 企事业单位横向项目：融通地产基于相变储能的建筑供热技术研究服务，60万元，项目负责人，2025.1–2025.12。
2. 企事业单位横向项目：高性能相变材料开发，70万元，项目负责人，2023.8–2026.8。
3. 企事业单位横向项目：相变材料及相变储能组件及设备开发，60万元，项目负责人，2022.12–2024.12。
4. 企事业单位横向项目：红外探测器薄膜制备技术开发，100万元，项目负责人，2015–2018；
5. 北京市自然科学基金面上项目：脉冲高能量密度等离子体技术合成纳米晶PbSe薄膜，11万元，项目负责人，2011.1–2013.6；
6. 北京市教委科技计划面上项目：螺杆泵耐磨耐蚀涂层的制备及应用研究， 项目负责人，2011.1–2013.12；
7. 北京市委组织部优秀人才项目：脉冲高能量密度等离子体合成纳米晶PbSe薄膜研究，6万元，项目负责人，2009.1–2010.12。

III. 代表性学术论著

1. Zhang Xiaoke, Yuan Shiwei, Li Yongqi, Wang Zhongyang, Feng Wenran*. Efficient and green strategy of ultrasound-assisted liquid-phase exfoliation of MoS2 nanosheets. Langmuir, 2025, 41, 15788−15795.
2. Gao Dahai, Li Yongqi, Liu Bohong, Liu Yitong, Yuan Shiwei, Wang Zhongyang, Feng Wenran*. PbSe sensitized with iodine and oxygen for high-performance photoelectronic detection. Mater. Sci. Semicond. Process., 2025, 190: 109327.
3. Feng Wenran*, Zhang Xiaoke, Hong Anni, Lang Haoze, Li Yongqi, Yuan Shiwei, Jiang Lai. One-pot synthesis, sensitization and photoelectric performance of calcium doped PbSe thin films. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 2024, 35: 736.
4. Gao Yan, Dong Haitao, Zhang Xiaoke, Feng Wenran*. Effects of substrate bias voltage on structural and optical properties of co-sputtered (AlxGa1–x)2O3 films. J. Electron. Mater., 2023, 52: 7429–7437.
5. 高妍，董海涛，张小可，冯文然*. (AlxGa1–x)2O3结构、电子和光学性质的第一性原理研究. 人工晶体学报，2023，52 (9): 1674–1719.
6. Dong Haitao, Gao Yan, Zhang Xiaoke, Li Zhen, Feng Wenran*. In-situ oxygen sensitizing PbSnSe films for high-performance photoelectronic detection. Vacuum, 2023, 207: 111538.
7. Li Zhen, Chen Yingying, Lang Haoze, Wan Jianghong, Gao Yan, Dong Haitao, Zhang Xiaoke, Feng Wenran*. Pb0.8Sn0.2Se thin films: synthesis, sensitization and properties evolution. c
8. Feng Wenran*, Li Zhen, Chen Yingying, Chen Jinyang, Lang Haoze, Wan Jianghong, Gao Yan, Dong Haitao. Enhanced photoelectric properties of PbSnSe thin films via quick oxygen ion-implantation sensitization. J. Mater. Sci., 2022, 57 (3): 1881–1889
9. Feng Wenran*, Song Jiali, Ren Yashuang, Chen Fei, Hu Jifei, Yu Sensen, Zhao Hongchun, Tang Yiyun, Huang Song. Structural and optical evolution in Pb100–xAgxSe (x= 3, 6, 9 and 12) thin films by chemical bath deposition J. Alloy. Compd., 770, 649–654 (2019).
10. Song Jiali, Feng Wenran*, Ren Yashuang, Zheng Danning, Dong Haitao, Zhu Ran, Yi Liya, Hu Jifei. Columnar Te-doped-PbSe thin films on glass for infrared photoelectric detection. Vacuum, 155, 1–6 (2018).
11. Feng Wenran*, Song Jiali, Ren Yashuang, Yi Liya, Hu Jifei, Zhu Ran, Dong Haitao. Structural, morphological, electrical and optical properties of PbSe thin films sputtered at various pressures. Physica E, 102, 153–159 (2018).
12. Feng Wenran*, Zhou Hai, Chen Fei. Impact of thickness on crystal structure and optical properties for thermally evaporated PbSe thin films. Vacuum, 114, 82–85 (2015).
13. Feng Wenran*, Wang Xiaoyang, Chen Fei, Liu Wan, Zhou Hai, Wang Shuo, Li Haoran. Influence of substrate temperature on structural, morphological and electrical properties of PbSe film deposited by radio frequency sputtering. Thin Solid Films, 578, 25–30 (2015).
14. Feng Wenran*, Wang Xiaoyang, Zhou Hai, Chen Fei. Effects of sputtering power on properties of PbSe nanocrystalline thin films deposited by RF magnetron sputtering. Vacuum, 109, 108–111 (2014).
15. Feng Wenran*, Zhou Hai, Yang Si-ze. Nano-indentation and wear-resistance behaviors of TiCN films by pulsed plasma, Mater. Sci. Eng., A, 527, 4767–4770 (2010).
16. Feng Wenran*, Zhou Hai, Yang Si-ze. Gas pressure dependence of composition in Ta–Ti–N films prepared by pulsed high energy density plasma. Mater. Chem. Phys., 124, 287–290 (2010).
17. Feng Wenran*, Chen Guangliang, Li Li, Lv Guohua, Zhang Xianhui, Niu Erwu, Liu Chizi, Yang Si-ze. Characteristics of (Ti,Ta)N thin films prepared by using pulsed high energy density plasma. J. Phys. D: Appl. Phys., 40, 4228–4233 (2007).
18. Feng Wenran*, Chen Guangliang, Zhang Yan, Gu Weichao, Zhang Guling, Niu Erwu, Liu Chizi, Yang Si-ze. Preparation of Ta(C)N films by pulsed high energy density plasma. J. Phys. D: Appl. Phys., 2132–2137, 40 (2007).
19. Feng Wenran*, Liu Chizi, Chen Guangliang, Zhang Guling, Gu Weichao, Niu Erwu, Yang Si-Ze. Titanium carbonitride films on cemented carbide cutting tool prepared by pulsed high energy density plasma. Appl. Surf. Sci., 253, 4923-4927 (2007).
20. Feng Wenran*, Yan Dianran, He Jining, Zhang Guling, Chen Guangliang, Gu Weichao, Yang Size. Microhardness and toughness of the reactive plasma sprayed TiN coating. Appl. Surf. Sci., 243, 204–213 (2005).
21. Feng Wenran*, Yan Dianran, He Jining, Li Xiangzhi, Dong Yanchun. Reactive plasma sprayed TiN coating and its tribological properties. Wear, 258, 806–811 (2005).
22. 冯文然*, 阎殿然，何继宁，陈光良，顾伟超，张谷令，刘赤子，杨思泽.反应等离子喷涂纳米TiN涂层的显微硬度及微观结构研究. 物理学报，54，2399–2402 (2005).

IV. 发明专利和软件著作权

1. ，高妍，张小可，一种偏压辅助半导体薄膜、制备方法及其应用，中华人民共和国发明专利, ZL 202310361346.3，授权公告日：2023.06.20
2. 冯文然，张小可，李泳祺，苑仕炜，洪安妮，一种偏压辅助半导体薄膜、制备方法及其应用，中华人民共和国发明专利, ZL 202311181060.3，授权公告日：2023.12.19
3. 冯文然，李珍，万江红，蔡晓芸，马继楠，一种离子液体修饰量子点的制备方法及其应用，中华人民共和国发明专利, ZL 202111520102.2，授权公告日：2024.02.27
4. 马继楠，蔡晓芸，万江红，冯文然，复合相变储能装置以及储能效率自动调节方法，中华人民共和国发明专利, ZL 202111136318.9，授权公告日：2023.12.29

V. 招生信息

本人目前招收材料与化工（0856）专业学位硕士（材料工程领域085601）。诚挚欢迎材料、物理、化学等专业基础扎实、具有探索精神、具备较强动手能力和富有好奇心的同学加入。